Beschreibung:

Dieser Baustein enthält einen statischen RAM mit einer Kapazität von 2 kBit. Je 8 Bits bilden eine Speicherzelle. Insgesamt ergeben sich 2048 Speicherzellen zu je einem Byte (8Bit=1Byte). Über 11 Adressleitungen A0-A10 kann eine dieser Speicherzellen ausgewählt werden. Damit der Inhalt der gewählten Speicherzelle an den Datenausgängen D0-D7 erscheint (RAM lesen -read) bzw. damit die Signale an D0-D7 in die gewählte Speicherzelle übertragen werden können (RAM schreiben -write), müssen die Signale /CS (Chip Select), /OE (Output Enable) und /WR (Write) entsprechend aktiviert werden.

Ist der Baustein an die Betriebsspannung angeschlossen und ist /CS inaktiv, so befindet er sich im 'Power-Down' oder 'Standby' -Zustand. Er nimmt wenig Strom auf. Wird /CS aktiviert, so wird der Baustein zur Arbeit eingeschaltet. Nun nimmt er etwa den 40 -fachen Strom auf. /CS muss sowohl für den Schreib- wie für den Lesevorgang aktiviert werden.

Damit die Inhalte von Speicherzellen ausgegeben werden können (RAM read), muss das Signal /WR auf log 1 gelegt werden. Mit dem Signal /OE kann nun bestimmt werden, ob die herausgesuchten Daten auch an den Datenausgängen erscheinen oder nicht. Ist /OE inaktiv (beim vorliegenden Baustein HIGH=log1), werden die Daten zwar herausgesucht, gelangen aber nicht zu den Ausgängen. Die Ausgänge sind hochohmig (Tristate) und es können parallele Speicherbausteine mit dem externen Datenbus arbeiten.

Um dem RAM Daten einschreiben zu können (RAM write), wird das Signal /WR auf log 0 gelegt werden. Welchen Zustand das Signal /OE besitzt ist unerheblich, solange die Ausgänge nicht an einem Datenbus liegen, über den jetzt die zu speichernden Signale, zu den Eingängen D0-D7 des Bausteins gelangen. Dies ist beim Einsatz des Bausteins in einem Computer normalerweise der Fall. Liegen die Ausgänge an einem Datenbus, muss /OE auf log 1 gesetzt werden. Die zu schreibenden Signale vom Datenbus werden gespeichert, wenn entweder /CS oder /WR auf log 1 zurückfallen.

Der Baustein arbeitet mit einer Betriebsspannung von Vcc = +Ub = 5V (±10%). Seine Anschlüsse sind TTL-kompatibel. Die einzelnen Speicherbits sind durch Flip-Flops realisiert. So benötigt dieser Baustein weder ein externes Taktsignal, noch ein Refresh-Signal wie es bei dynamischen RAM Speichern notwendig ist.