Beschreibung:

Dieser Baustein enthält einen Speicher, der nur gelesen werden kann. (ROM -Read Only Memory). Durch ein besonderes Verfahren kann er zuvor elektrisch programmiert werden (EPROM). Seine Kapazität beträgt 512 kBit. Je 8 Bits bilden eine Speicherzelle. Insgesamt ergeben sich 65536 Speicherzellen zu je einem Byte (8Bit=1Byte). Über 16 Adressleitungen A0-A15 kann eine dieser Speicherzellen ausgewählt werden. Damit der Inhalt der gewählten Speicherzelle an den Datenausgängen D0-D7 erscheint, müssen die Signale /CS (Chip Select) und /OE (Output Enable) aktiviert werden. Bei dem vorliegenden Baustein müssen sie auf LOW=log0 gelegt werden.

Ist der Baustein an die Betriebsspannung angeschlossen, und ist /CS inaktiv, befindet er sich im 'Power-Down' oder 'Standby' -Zustand. Er nimmt wenig Strom auf. Wird /CS aktiviert, so wird der Baustein zur Arbeit eingeschaltet. Nun nimmt er etwa den 4 bis 10-fachen Strom auf.

Der Anschluss /OE bewirkt, dass die Inhalte der adressierten Speicherzellen zu den Datenausgängen gelangen können. Ist /OE inaktiv (HIGH), werden die Daten zwar herausgesucht, gelangen aber nicht zu den Ausgängen D0-D7. Die Ausgänge sind in diesem Fall hochohmig (Tristatezustand) und es können parallele Speicherbausteine mit dem externen Datenbus arbeiten.

Der Baustein arbeitet mit einer Betriebsspannung von Vcc = +Ub = 5V (±10%). Alle Ein- und Ausgänge sind TTL- kompatibel.

Baustein löschen

Die Speicherinhalte können durch ultraviolettes Licht mit einer Wellenlänge von 2,537 Ångstrom (253,7 nm) gelöscht werden. Dieser Vorgang dauert etwa 15 bis 20 Minuten (bei min. 15Ws/cm² und 2,5cm Abstand von der Lampe). Damit das Licht den Wafer erreicht besitzt der EPROM eine durchsichtige Öffnung die nach einer Programmierung lichtdicht überklebt wird. Nach einem Löschvorgang kann der EPROM in einer besonderen Vorrichtung erneut programmiert werden (EPROM-Brenner). Die Programmierspannung beträgt je nach Typ 12,5V bzw. 21V. Diese Spannung wird dem Anschluss Vpp zugeführt. Der vollständige Programmiervorgang benötigt etwa die Zeit von 1 bis 2 min.

interner Aufbau:

siehe EPROM 27256